218. 高周波スパッタリング装置

機種名	SPF-332H (日電アネルバ)
性　能	φ3"ターゲット電極を 3基備え、薄膜及び多層薄膜作製を目的とした実験用二極スパッタ装置到達圧力：10-7 Torr 基板加熱温度：最高300℃ 逆スパッタおよび DC スパッタ可能

特記事項

・測定に必要な消耗品(基板、ガス等)は、利用者で準備する

・操作を熟知した利用者が自ら操作することを原則とする